為何AOS Dr.mos 可以替換 Discrete 的優勢(上)

1. 前言

隨著技術的進步，多核心架構使微處理器在水準尺度上變得更密集、更快速，因此微處理器所需的功率急劇增加。Dr.mos能使電源系統大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。

  

2. mos 與 Discrete架構比較表

	Dr.mos	Discrete架構
體積	小	大
1Phase基本零件數	1pcs (Driver & H/mos & L/mos) 合併在一個package	3pcs Driver & H/mos & L/mos
工作頻率	高	低
溫度	低	高
效率	高	低
Spike	低	高

 

3. mos 與 Discrete 架構Layout 比較

 Dr.mos將Driver & H/mos & L/mos合併到同一個Package，因而大大減少了Layout所需空間，如今追求產品輕薄短小的情況下，在應用上非常具有空間優勢。

 

(圖片Dr.mos架構:AOS Dr.mos AOZ5518QI)

https://aosmd.com/sites/default/files/res/data_sheets/AOZ5518QI.pdf

(圖片Discrete架構:Driver + H/mos + L/mos)

 

4. mos 與 Discrete架構的工作頻率比較

(1)在Dr.mos架構，Driver & H/mos & L/mos整合在同一Package內，元件與元件之間距離極短且穩定，因此可以大大提升工作頻率，約在500KHZ 到850KHZ左右

(2)在Discrete架構，Driver & H/mos & L/mos三個元件個別獨立下，元件與元件之間距離較遠，不確定因素較高，因此工作頻率較低，約在250KHZ 到400KHZ左右

 

5. Q&A:

以下皆以AOZ5518QI為例

• Boost cap怎麼擺放：Pin5 to Pin7路徑越短越好
• Pin4 NC 怎麼接：接至PGND or 不Lay
• Pin6 NC 怎麼接：接至VIN or 不Lay
• Pin30/31 NC 怎麼接：不Lay
• Pin GL怎麼處理：不Lay，以防短路

 

待續….