AOS Power MOS基本介紹(二)

上篇文章中有介紹到理想的MOSFET的基本介紹，本偏要來介紹AOS POWER MOSFET。

Power 用 MOSFET 大多為垂直型

Ex： AONS36303, AONS36308

• 圖片出自https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%8A%9F%E7%8E%87MOSFET

SGT-MOSFET (Shielded Gate Trench MOSFET) 

1. 可以降低Cgd(米勒效應影響),提升開關速度
2. 可以降低Rds(on)

 Power MOSFET 的等效電路

可以等效為三個寄生電容，一個標準MOSFET，和一個二極體

1. Cgd Cgs 由閘極氧化層而產生
2. Cds 由寄生二極體的接面電容產生
3. 二極體，由PN接面而產生

• 圖片出自https://www.wpgdadatong.com/blog/detail/42072

各寄生電容對MOSFET 會造成的影響

代號	公式	意義	影響
Ciss	Cgs+Cgd	輸入電容	MOSFET Turn On 速度/效率(Switching Loss)
Coss	Cgd+Gds	輸出電容	受影響的東西不多，故可以忽略
Crss	Cgd	反饋電容	Glitch

所以我們由上面得知，Cgd影響的東西最多，甚至會因為Cgd比較大，造成Glitch，對於這個現象輕則發熱，效率受到影響，重則造成Vin 對地短路，造成瞬間大電流，這樣會對於MOSFET有不可逆的傷害和影響。