由於3C產品品項眾多，在各3C產品上也使用了相當多的MOSFET在上面，不論是使用在switching power上的MOSFET，或是當做是一般的負載開關，其使用量非常的大，當然也造就了一些使用上的失效問題，而必須退回原廠做開蓋的分析。所以，究竟要怎麼來判別MOSFET的好壞，我將針對其內部的結構與原理作簡單的說明。
下圖是簡單的MOSFET等效電路，其中包含了等效寄生電容在裡面。它顯示了一些小的電容例如：Cgs/Cgd 與Cds，這也就是gate to source 容易會有寄存的電壓在裡面。任何的帶電體的碰觸，都很容易導致gate to source電壓的爬昇，而讓MOSFET的drain to source兩端導通。
以下就是簡單判定MOSFET好壞的方法:
- 釋放gate – source間，寄存的電壓（可以將gate 與source兩pin短路）
- 檢查 drain – source兩端阻抗，如果是短路的狀態，代表MOSFET失效 (DS short)
- 如果量測的結果是開路open，我們必需提供一個正偏壓在gate – source 兩端，讓MOSFET導通 (可以使用三用電錶的diode檔位)
- 再檢查一次drain - source兩端阻抗，如果顯示是短路的狀態，代表MOSFET是良好可以正常開啟的動作，如果量測的結果還是開路open，那麼代表MOSFET有可能是失效的 (DS open)