這款雙向逆變器可用於為電動汽車（EV）和家用電池充電，還能作為意外停電時的備用電源，以及高效綠色能源發電設備的核心組件。該雙向逆變器搭載了英飛凌的1200 V M1H CoolSiC™ EasyPACK™ 1B模塊和採用 D²PAK 7引腳封裝的1200 V CoolSiC™ MOSFET（一種表面貼裝器件）。它將三個應用整合在一起，在一個尺寸僅為425 x 865 x 160 mm3的緊湊封裝中實現了三個一系統的設計，具有重要的里程碑意義。該系統的輸出功率約為10 kW，允許通過的最大連續電流為34 A，峰值效率可以超過97.5%。
台達光伏逆變器事業部主管李雷鳴表示：“英飛凌多年來一直引領著功率半導體的發展，致力於進一步提高電源管理效率，是一個值得信賴的合作夥伴。藉助英飛凌的功率半導體器件，我們能夠將三種應用整合到一個系統中，向著綠色能源的發展目標邁出了一大步。”
英飛凌科技工業功率控制事業部總裁Peter Wawer博士表示：“該項目是邁向碳中和道路上的一座重要里程碑，我們十分榮幸能夠成為該項目的重要參與者。我們期待著台達能夠與英飛凌長期合作。英飛凌的功率半導體器件在這套智慧能源解決方案中發揮了重要作用，對此我們深感自豪。”
創建這套三合一系統用到的重要組件包括：帶有NTC溫度傳感器、採用了壓接工藝的1200 V M1H CoolSiC™ EasyPACK™ 1B模塊（F4-23MR12W1M1_B11）。該模塊可提供超高的設計靈活性和高電流密度。同時，該模塊採用了領先的封裝技術，與CoolSiC™ MOSFET配合使用，實現了低電感設計以及極小的開關和導通損耗。它支持客戶進行高開關頻率操作，可以讓系統設計得更加小巧。EasyPACK™模塊能夠幫助客戶縮短新產品開發時間，降低總體成本。
該系統還採用了英飛凌的其他幾款半導體器件，其中包括採用了CoolMOS™ C7和TRENCHSTOP™ 5 IGBT技術的半導體器件，以及採用D²PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC™ MOSFET（IMBG120R350M1H）。後者採用.XT互連技術，具有與同類產品相比更加出色的熱性能，並且採用了開爾文源極概念。這些MOSFET憑藉其優勢確保了極低的開關損耗，提高了系統效率。
這些半導體器件具有3 µs的短路能力，MOSFET提供全壓擺率（dV/dt）控制以及4.5 V基準柵極閾值電壓（VGS(th)）。它們還具備強大的抗寄生導通能力，可在0 V關斷電壓下運行。此外，這些MOSFET還包含支持硬換流的強大的體二極體。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由於採用SMD封裝，這些MOSFET可以直接集成到具有自然對流冷卻功能的PCB上，因此無需額外的散熱器。
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