新品 | 採用增強型CoolSiC™ MOSFET(M1H)新一代碳化矽Easy模塊

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採用增強型CoolSiC™ MOSFET(M1H)新一代碳化矽Easy模塊

新一代碳化矽模塊採用增強型CoolSiC™ MOSFET(M1H)首發型號為EasyPACK™和EasyDUAL™封裝。

 

相關器件:

 

▪ FS55MR12W1M1H_B11

55mΩ 1200V三相橋

 

▪ FF2MR12W3M1H_B11

2mΩ 1200V半橋

 

▪ F3L8MR12W2M1H

8mΩ 1200V NPC2三電平

 

新一代碳化矽模塊採用增強型CoolSiC™ MOSFET(M1H),首發型號為EasyPACK™和EasyDUAL™封裝。

 

CoolSiC技術取得的最新進展,M1H晶片的柵極驅動電壓窗口明顯增大,推薦的VGS(on)為15-18V,VGS(off)為0-5V,最大柵極電壓擴展至+23V和-10V。從而降低了既定晶片面積下的導通電阻。與此同時,隨著柵極運行窗口的擴大,柵極能很好地耐受與驅動器和布局相關的電壓峰值,即使在更高開關頻率下亦不受任何限制。VGS(th)穩定性的提高,大大減少了動態因素引起的漂移。

 

此外,允許該器件在175°C以下運行,以滿足各種應用的過載條件。器件的基本理念沒有改變,晶片的布局和尺寸沒有改變。

 

第一批推出的型號包括Sixpack三相橋,三電平NPC2和半橋拓撲產品,封裝分別採用Easy 1B, 2B和3B。有了這第一個全碳化矽的CooSiC™ EasyDUAL™ 3B功率模塊,英飛凌的工業級碳化矽產品系列是市場上最廣的。





產品特點

Easy1B、2B和3B模塊封裝
1200V CoolSiC™ MOSFET,具有增強型溝槽柵技術
擴大了推薦的柵極驅動電壓窗口,+15...+18V和0...-5V
擴展的最大柵極-源極電壓為+23V和-10V
過載條件下的最高工作結溫Tvjop高達175°C
Sixpack三相橋、電平或半橋拓撲
PressFIT引腳
預塗熱界面材料(Easy 3B)


應用價值


市場上最廣工業碳化矽模塊產品系列
與標準CoolSiC™ M1晶片相比,RDson降低了12%
減少了動態因素引起的漂移


應用領域

伺服驅動器
不間斷電源
電動汽車充電器
太陽能逆變器

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