新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產品

CoolSiC™ 1200V SiC 

MOSFET低歐姆產品


CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低歐姆產品，採用TO247封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝採用 .XT互連技術，最新的CoolSiC™ MOSFET具有一流的熱耗散性能。

產品規格：
1200V,7mΩ、14mΩ和20 mΩ TO247封裝

CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低歐姆產品（7mΩ、14mΩ和20mΩ），採用TO247-3/TO247-4封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝採用.XT互連技術，最新的CoolSiC™ MOSFET具有一流的熱耗散性能。

CoolSiC™ MOSFET是硬開關和諧振開關拓撲結構的理想選擇，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲結構和DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。

產品特點

• TO247封裝中最大規格，最低的RDS(ON) 7mΩ

• .XT互連技術實現了同類最佳的熱性能

• 最大柵極源極電壓低至-10V

• 靈活的關斷柵極電壓選擇-5V~0V

• 雪崩能力

• 短路能力

 

應用價值

• 單個器件的功率密度高

• 7mΩ單個器件的系統輸出功率可做到30千瓦

• 散熱能力提高15%

• 寬關斷柵極電壓選擇，易於設計和應用

• 增強穩健性和可靠性

 

市場優勢

• 經過驗證並增強了封裝的堅固性，具有很高的可靠性

• 完整的內部生產前端和後端，確保供應安全性

• 最新的開關和柵極驅動器技術實現了最佳性能

• 易於設計，加快了上市時間

 

應用領域

• 電動車快速充電

• 太陽能系統

• 儲能系統

• 工業驅動

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