以下分別為傳統橋式整流和NXP TEA2209T 主動式橋式整流架構，我們可以看到NXP TEA2209T 主動式橋式整流架構是經由控制4顆MOSFET去取代傳統Diode，所以藉由使用TEA2209T搭配4顆MOSFET(600V/28m ohm)並裝在NXP 240W Demo Board實際測試比較後，得到結果在90Vac條件下，可以提升約1.4%的效率，在115Vac條下也可以提升約1%的效率，這也代表未來如果需追求更高效率規格，或者大功率電源產品在追求體積薄型化或小型化時需藉由提升效率來改善溫升或殼溫問題，都可以使用NXP TEA2209T Actice Bridge去改善以上問題。
115Vac Efficiency
傳統橋式整流
115Vac Efficiency
傳統橋式整流
NXP TEA2209T 主動式橋式整流
另外NXP TEA2209T Active Bridge還具有X電容放電功能，所以線路上可以不用增加X電容的安規洩放電阻，這樣就能降低空載時整體的功率損耗。
X電容放電功能
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