由於各類雲端應用的發展，致使Server, Switch, Workstation,5G base station 需求量提高，另外隨著CPU的platform更新，CPU所需的功率也在增加，而目前CPU power rail 的design都是以多相數並聯輸出來供電給CPU(1顆controller+7~9顆power stage)，因此可以想見對power stage會有很大量的需求。
雖然很多IC廠家會推出成套controller+ power stage的solution, 來確保溝通控制上沒有問題，但在power stage出貨保證上卻無法提供相對應的保證，因此找尋power stage的2nd source是不能忽略的問題。而在挑選power stage 2nd的上有那些基本該注意的地方，例舉如下:
1.是否和main source 相同package, 且pin function 都相同
2.能承受的負載電流是否和main source 相當
3.PWM voltage, FSW是否能和controller匹配
4.IMON report出來的值是否和main source 相同
4.所需的Vcc電壓值是否相同，Vin的電壓範圍
以下以Vishay的SPS來分別說明
日前發佈的功率模組含有功率MOSFET和先進的驅動IC。為提高能效，器件內部MOSFET採用先進的TrenchFET® Gen IV技術，這一技術確立行業性能基準，顯著降低開關和傳導損耗。SiC8xx智慧功率模組各種應用條件下峰值能效可達93 %以上。輕載時可啟用二極體模擬模式，提高全負載範圍的效率。
採用電感器DCR監控功耗的解決方案，電流報告精度為7 %，而SiC8xx 系列器件採用低邊MOSFET進行檢測，精度誤差小於3 %。從而有助於提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統（SoC）性能，改進熱管理。器件適用於同步降壓轉換器、CUP和GPU的多相VRD、記憶體以及DC/DC VR模組。
SiC8xx功率模組輸入電壓為4.5 V至21 V（如表中所示），開關頻率高達2 MHz。故障保護功能包括高邊MOSFET短路和過流報警、過熱保護和欠壓鎖定（UVLO）。 SiC8xx系列支援3.3 V和5 V 三態PWM邏輯電平，相容各種PWM控制器。
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