基於Navitas NV6115 氮化鎵功率晶片的高效高功率密度150W電源解決方案

關鍵字 :NAVITAS NV6115 NV6117 GAN

傳統的功率半導體被設計用來提升系統的效率以及減少能量損失。可是實際上，出於兩個方面的原因-傳導和開關切換，設備可能會出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術，其改善開關切換的延遲時間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率晶片公司。所謂的氮化鎵功率晶片，其中 GaN 驅動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，並全部採用 650V GaN 工藝，從而實現許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。

該方案採用NV6115 與 NV6117 氮化鎵功率晶片並且搭配 ONSEMI 半導體的 LLC 驅動器NCP13992與同步整流驅動晶片NCP4306，其中 PFC驅動為NCP1615 。本電源解決方案為輸入85-260VAC 輸出 DC19.5V/7.69A，其簡化布局並減少外部組件數，採用跳周期模式提升輕載能效，並集成一系列保護特性以提升系統可靠性。這150W 方案的體積為 103mm x 55mm x 17mm ，這個體積尺寸是市面上其他方案的2/3。本方案的PFC 採用開關頻率為100~200KHz / LLC採用開關頻率為270KHz，並且在滿負載又不需要外加風扇去散熱的情況下其轉換效率高於95.2%。用於工業電源大功率電源系統應用，可顯著實現輕載和滿載時的高能效及超低待機能耗。