傳統的功率半導體被設計用來提升系統的效率以及減少能量損失。可是實際上，出於兩個方面的原因-傳導和開關切換，設備可能會出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術，其改善開關切換的延遲時間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率晶片公司。所謂的氮化鎵功率晶片，其
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