傳統的功率半導體被設計用來提升系統的效率以及減少能量損失。可是實際上,出於兩個方面的原因-傳導和開關切換,設備可能會出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術,其改善開關切換的延遲時間。納微(Navitas)半導體公司是世界上第一家的氮化鎵( GaN )功率晶片公司。所謂的氮化鎵功率晶片,其中 GaN 驅動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成,並全部採用 650V GaN 工藝,從而實現許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。
該方案採用NV6115 與 NV6117 氮化鎵功率晶片 並且搭配 ONSEMI 半導體的 LLC 驅動器NCP13992與 同步整流驅動晶片NCP4306,其中 PFC驅動為NCP1615 。本電源解決方案為輸入85-260VAC 輸出 DC19.5V/7.69A,其簡化布局並減少外部組件數,採用跳周期模式提升輕載能效,並集成一系列保護特性以提升系統可靠性。這150W 方案的體積為 103mm x 55mm x 17mm ,這個體積尺寸是市面上其他方案的2/3。本方案的PFC 採用開關頻率為100~200KHz / LLC採用開關頻率為270KHz,並且在滿負載又不需要外加風扇去散熱的情況下其轉換效率高於95.2%。用於工業電源大功率電源系統應用,可顯著實現輕載和滿載時的高能效及超低待機能耗。
該方案採用NV6115 與 NV6117 氮化鎵功率晶片 並且搭配 ONSEMI 半導體的 LLC 驅動器NCP13992與 同步整流驅動晶片NCP4306,其中 PFC驅動為NCP1615 。本電源解決方案為輸入85-260VAC 輸出 DC19.5V/7.69A,其簡化布局並減少外部組件數,採用跳周期模式提升輕載能效,並集成一系列保護特性以提升系統可靠性。這150W 方案的體積為 103mm x 55mm x 17mm ,這個體積尺寸是市面上其他方案的2/3。本方案的PFC 採用開關頻率為100~200KHz / LLC採用開關頻率為270KHz,並且在滿負載又不需要外加風扇去散熱的情況下其轉換效率高於95.2%。用於工業電源大功率電源系統應用,可顯著實現輕載和滿載時的高能效及超低待機能耗。
►場景應用圖
►產品實體圖
►展示板照片
►方案方塊圖
►核心技術優勢
無輔助電源, 快速啟動 X2 電容放電功能 輸入功率因數 接近0.99 低電源&過載保護 溫度保護功能 Dimension 103*55*17 96CC 功率密度為1.56 W/cc 輸出滿載功率下的最高效率為95.2% 空載損耗為135mW
►方案規格
輸入:AC90 – 265 V; 輸出:19.5 Vdc / 7.69 A 功率150 W ,紋波< 120 mV; 待機功耗小於135MW;