羅姆EcoGaN深度剖析—驅動工控與車載大功率新時代

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直播時間

2025/7/22 (二) 10:00 - 11:00

研討會介紹與亮點

氮化鎵（GaN）是一種採用鎵和氮化合物的化合物半導體，被認為是下一代功率元件極具潛力的材料。因其高效率和對功率電子、光子學、LED技術、射頻基礎設施和電源IC等各種應用的變革性影響而聞名。由於氮化鎵具有比矽更寬的能隙和更高的熱導率，因此被稱為寬能隙半導體，具有高介電擊穿電場強度的特點，可以使用更薄的層實現與矽相同的耐壓。

氮化鎵相比傳統矽功率電子產品具有諸多引人注目的優勢，其主要的優勢之一是能夠實現更高的功率密度，有助開發體積更小、效率更高的電源轉換器和馬達驅動器。氮化鎵功率電晶體以其更快的開關速度、更低的導通電阻和更高的熱導率而聞名，使其成為高頻和大功率應用的理想選擇。

氮化鎵比矽半導體具有更高速度和更低電阻等優勢，使得氮化鎵功率電晶體越來越常被應用於大功率和高頻元件中，適用於電子設備電源等應用場景，在5G通訊、電動車解決方案等應用中十分重要。

羅姆於2023年將650V耐壓的第1代GaN HEMT投入量產，並於同年將閘極驅動器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產。之後羅姆也與TSMC在車載氮化鎵功率元件的開發和量產上，建立戰略合作夥伴關係，以羅姆的氮化鎵元件，結合TSMC的GaN-on-Silicon製程優勢，滿足市場上對高耐壓和高頻功率元件日益成長的需求。

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