驅動未來：東芝功率元件在車用領域的運用

本次研討會主要介紹東芝Discrete Power MOSFET、Power Module及相關的Bare die。針對MOSFET的技術、封裝、SiC MOSFET/IGBT/FRD (Bare die)的優點進行詳細的解說。

其中Discrete Power MOSFET適用於車載領域的多項應用，包含散熱風扇馬達驅動、DC/DC converter、E-Scooter等。除了Power MOSFET之外，也會說明東芝的小訊號MOSFET (2*2mm Package)優點及開發計畫。

SiC MOSFET Bare die設計出來給研發Power Module的客群。第5世代SiC MOSFET不僅繼承前一世代高信賴性的優點，更優化了性價比，在市場上具有足夠的競爭力。主力產品為1200V 13m ohm尺寸為5*5mm的SiC MOSFET，已能提供工程樣品給客戶做測試。

針對使用Silicon IGBT/FRD bare die的客群，東芝推出整合兩者的RC-IGBT bare die，並且優化散熱能力，讓客戶在設計Power Module時可以提升功率密度。在同樣的Power Module尺寸下，可以輸出更大的功率，讓終端客戶可以縮減Inverter的體積及重量。

此次的研討會除了可以讓觀眾更了解適用於車用領域的東芝產品外，亦能獲得關於車載未來的發展趨勢。

研討會內容：

1. 車用Power MOSFET（Discrete）介紹
2. 車用SiC MOSFET bare die - 高信賴性、高性價比及開發計劃說明
3. 車用Si IGBT/FRD bare die – 提供客戶多種選擇，在設計Power Module時有更靈活的搭配

直播時間：2025 年 5 月 15 日 10:00 - 11:00

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