碳化硅SiC第一講：寬禁帶半導體如何重塑能源未來
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影片簡介
作為寬能隙半導體，碳化矽憑藉更高的擊穿場強和優異的導熱性，顯著提升了高壓功率系統的效率和功率密度，成為能源轉型的關鍵推手。英飛凌自2001年率先推出碳化矽功率元件以來，持續引領技術創新，透過降低開關損耗、減少散熱需求，助力工業、交通等領域實現更永續的能源利用。
無論是混合解決方案的平滑過渡，還是純碳化矽MOSFET的顛覆性性能，這項技術都在重塑能源轉換的未來。想深入了解碳化矽如何改變世界？點擊影片，探索高效能源的科技密碼！
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參考來源
英飞凌工业半导体 : https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA5Njk3NDA1Mg==&mid=2651037004&idx=1&sn=7931ac2c2cb76ba0b5116bc7e8aee2df&chksm=8b50d8c7bc2751d1404270e2651c5e18840973ccf471b426b3dfdd4a2dbb91bc2f308b670004#rd
