D2PAK-7封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2介紹

本影片深入介紹了專為滿足工業應用需求而開發的英飛凌第二代高性能1200V CoolSiC™ MOSFET G2其新特性旨在實現更佳效率、更高功率密度、更好可靠性和更強穩健性若結-殼熱阻值改善了12%，可在200ºC的結溫下累計運行100小時，提供額外25ºC的溫度裕量。

影片展示了第二代CoolSiC™ MOSFET G2在電動車充電解決方案、光伏系統、不間斷電源模組以及工業馬達驅動器等領域的廣泛應用，並根據不同的應用需求介紹了各種設計策略，例如實現更高的輸出功率、更低的溫度，或提升系統的開關頻率，旨在幫助觀眾更好地理解並選擇適合的MOSFET元件。