談混合式IGBT——矽FRD拖累IGBT的Eon

傳統電力電子應用中，IGBT的續流二極體一般以矽基FRD（快恢復二極體）為主，而矽基FRD的性能限制了IGBT的開通和關斷行為的潛力，對開關損耗是很大的拖累。為此，基本半導體研發推出了一種混合式IGBT（即混合碳化矽分立器件）來解決這一問題，即在IGBT中把續流二極體用碳化矽SBD（肖特基二極體）替代矽基FRD，可使IGBT的開通與關斷的潛力得以全部釋放，開關損耗大幅降低。

今天的“SiC科普小課堂”，基本半導體市場部總監魏煒老師將圍繞混合式IGBT這一全新話題，從反向恢復現象的角度對比續流二極體分別使用矽基FRD和碳化矽SBD時對開關損耗的影響，幫助大家深層理解混合式IGBT的技術邏輯和性能優勢。點擊下方鏈接，開課咯！