SiC科普小課堂 | 碳化矽MOSFET在TO-247-3和TO-247-4封裝中開關過程的比較

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影片簡介

相較於矽基IGBT,碳化矽MOSFET有著更快的開關速度,因此需要一種更適合發揮碳化矽MOSFET性能的封裝形式。今天的“SiC科普小課堂”中,基本半導體市場部總監魏煒老師將以TO-247-3和TO-247-4兩種封裝形式為例,為大家講解不同封裝的碳化矽MOSFET在開關過程中的性能表現。點擊播放按鈕,開課咯!

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