SiC科普小課堂 | MOSFET的漂移區如何承載電壓？

各位小夥伴們，基本半導體“SiC科普小課堂”上新咯！

在上一期的SiC科普小課堂中，基本半導體市場部總監魏煒老師為大家介紹了漂移區和體二極體的概念，並指出在MOSFET截止時，漂移區是承擔電壓的主要角色。那麼在MOSFET反偏時漂移區如何承載耐壓？在提升MOSFET耐壓的過程中，與矽材料相比，碳化矽材料擁有哪些優勢？

本期的“MOSFET科普第七講”中，魏老師將重點為大家解答這些話題，點擊下方按鈕，我們一起去視頻里找答案吧！