SiC科普小課堂 | 為什麼說碳化矽MOSFET適合高壓、高溫、高功率密度應用？
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影片簡介
所周知，與矽材料相比，碳化矽材料在禁帶寬度、臨界擊穿電場、熱導率、電子飽和漂移速率等諸多方面有著更為優越的特性，使得碳化矽功率器件可廣泛應用於高壓、高溫、高功率密度的場合中。這其中的根本原理是怎樣的？今天的“SiC科普小課堂”中，基本半導體市場部總監魏煒將為大家進行深度解讀，揭開碳化矽的神秘面紗。
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所周知，與矽材料相比，碳化矽材料在禁帶寬度、臨界擊穿電場、熱導率、電子飽和漂移速率等諸多方面有著更為優越的特性，使得碳化矽功率器件可廣泛應用於高壓、高溫、高功率密度的場合中。這其中的根本原理是怎樣的？今天的“SiC科普小課堂”中，基本半導體市場部總監魏煒將為大家進行深度解讀，揭開碳化矽的神秘面紗。
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