增強型M1H CoolSiC™ MOSFET的技術解析及可靠性考量
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影片簡介
碳化矽MOSFET在材料與器件特性上不同於傳統矽，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業界為數不多的採用溝槽柵做SiC MOSFET 的企業，如何使用創新的非對稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiC MOSFET 的性能? 增強型M1H CoolSiC™晶片又“強“在哪裡？英飛凌零碳工業功率事業部高級工程師趙佳女士，在2023英飛凌工業功率技術大會（IPAC）上，發表了《增強型M1H CoolSiC™ MOSFET的技術解析及可靠性考量》的演講，深入剖析了CoolSiC™ MOSFET的器件結構，以及M1H晶片在可靠性方面的卓越表現。點擊視頻可觀看回放。
參考來源
英飛凌工業半導體 : https://mp.weixin.qq.com/s/F1RwQD_DlyfzF8rX9ofR6A
