PI實現高效小型化於車用電源 碳化矽與氮化鎵電源解決方案
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影片簡介
基於矽材料的電力電子設備，在過去開發出強大的電腦周邊、手機及電機相關產品，不僅提升了技術、效率以及減低不必要的損耗，在半導體叱吒一個時代。
現今寬帶隙 (WBG) 半導體提供新的機會，能使用更少的電力、電能並同時實現前所未有的效能，例如 SiC 與 GaN 的半導體可以在更高溫度、更高電壓及頻率下作業，且具有高度耐用性和可靠性，並能將設計體積縮小又能讓效率提升更高。接下來 SiC 和 GaN 半導體將逐漸改變電動汽車產業。
Power Integrations 內含整合式 750V、900V 及1700V 開關並結合氮化鎵（GaN）與碳化矽 (SiC) 技術，與 FluxLink 回授的 CV/CC QR 返馳式切換開關 IC，更適用於汽車相關應用。
現今寬帶隙 (WBG) 半導體提供新的機會，能使用更少的電力、電能並同時實現前所未有的效能，例如 SiC 與 GaN 的半導體可以在更高溫度、更高電壓及頻率下作業，且具有高度耐用性和可靠性，並能將設計體積縮小又能讓效率提升更高。接下來 SiC 和 GaN 半導體將逐漸改變電動汽車產業。
Power Integrations 內含整合式 750V、900V 及1700V 開關並結合氮化鎵（GaN）與碳化矽 (SiC) 技術，與 FluxLink 回授的 CV/CC QR 返馳式切換開關 IC，更適用於汽車相關應用。
