2021/7/27 大大通研讨会回放_英飞凌IGBT7+Gate Driver在电机驱动行业的应用

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视频简介

在现代功率半导体器件中,提高开关速度、开关频率和功率密度是大势所趋。然而,由于不同具体应用对器件性能需求有差异,在某些应用中,对制衡开关速度的其他性能,有更高优先级的需求。就电机驱动应用特性而言,用户采用的典型开关频率(fSW)通常低于8kHz,降低静态损耗成为了功率半导体的发展重点,开关损耗变得次要了。去年英飞凌推出了全新的IGBT7,引起了广泛关注,它专为电机驱动设计,再搭配英飞凌X3 Campact系列驱动芯片,可谓项目“配7”,性能“配齐”。

首先,IGBT7技术可最大限度地减少静态损耗,同时提高开关参数的可控性,实现应用所需的最优特性,从而满足变频器的高功率密度的需求;其次,全新EmCon7能够实现更干净的开关,即减少振荡,同时可以简化驱动电路及辅助电源的设计;第三,则是基于优化功率模块设计,将暂态的最高允许结温(TJ)提高至175°C时,使IGBT和二极管能够满足实际应用的过载运行需求。基于这些概念,我们介绍了不同变频器负载类型对逆变器设计与器件选型的影响,相对于之前的IGBT4,新一代IGBT7给电机驱动应用带来的主要优势。同时英飞凌提供具有耐高温,高CMTI,最大支持14A输出的X3 Campact系列Gate drive,能完美驱动IGBT7系列IGBT。

内容概要:

  1. 变频器的高功率密度需求与挑战

  2. 英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT7 芯片模块的技术特性及关键技术点

  3. 英飞凌Gate Dirve如何满足IGBT7 的驱动电路的设计要点

  4. 应用案例及demo展示 

  5. 产品总结和IGBT7的客户价值



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