BMS 俗稱電池保姆或電池管家,主要是為了智能化管理及維護各個電池單元,防止電池出現過充電和過放電,保障電池安全使用的同時延長使用壽命。 當前市面上出現的電池管理系統大多數採用 Si MOS,由於 Si MOSFET 具有寄生二極體,必須成對使用,才能進行充電電流、放電電流的控制。針對 BMS 應用
隨著第三代半導體技術的不斷推動,有利於打造輕薄、高效的電源供應器。此次由詮鼎集團代理的碇基半導體,合作推出一款高功率密度300W適配器電源評估板,其中PFC與LLC搭載碇基半導體Ancora GaNFET,使得適配器整體尺寸縮小至195mm*60mm*20mm,功率密度提升至21W/inc3。而這樣
快充只是GaN功率器件在消費類市場的“橋頭堡”,如今,在電腦適配器領域,也出現了不少GaN充電器產品,GaN所具備的高開關速度,可以通過提高電源的開關頻率,減小變壓器的體積;低導阻,高效率的優勢,可以降低散熱需求,減少散熱片等輔助散熱,進一步減小電源體積。採用英諾賽科氮化鎵的120W/240W電源適
消費電子僅是GaN規模化應用的第一站,近年來,工業領域對GaN的需求也在逐步攀升。根據AKCP機構測算,2023年網絡設備、通信設備以及數據中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右,成為了“碳中和”最難啃的骨頭。其中,數據的需求將大幅度推高數據中心的建設速度,2023年,數據中心的能耗將占全球總用電
隨著“雙碳”概念的深入,智能化、低碳化越來越成為數據中心的兩大“確定性”發展趨勢,而低碳化就意味著要讓數據中心能耗更低、效率更高。據行家說Research顯示,現有數據中心(Si方案)整體功率轉換能效大約為75%,而採用GaN器件則能提升到87.5%。其中,DCDC 48V-12V 環節在整個鏈路中
PD快充在日常生活種已非常普及,ST推出的內置氮化鎵(GAN)MOS的 緊湊型控制晶片,尺寸僅為5*6mm, 工作頻率最高可達240K,非常適合用於PD快充及緊湊型電源。 VIPERGAN65介紹: VIPERGAN65是一款高壓轉換器,內置氮化鎵 MOS(Gan MOS ), 專為中功率准諧振反激
隨著我們生活品質越來越高,各行各業對應的各種科技也在飛速發展,各種新技術,新材料在市面上得到了充分的應用。第三代半導體氮化鎵出現在世人面前,已大大提升了人們的生活水平。氮化鎵元器件具有高頻,高轉換效率,高擊穿電壓等特性,氮化鎵前景有無限可能,國產氮化鎵的發展也突飛猛進,未來氮化鎵會應用在更多的場景中
如今人們的生產生活一刻也離不開電子產品,電子產品儼然已經成了一種剛需,比如手機、電腦、智能家電等。特別是手機,幾乎是每個人的標配,衣食住行樣樣都離不開手機的輔助。而這種高頻次的使用背後定然也離不開充電器的加持,因為手機是電子產品,而電子產品需要電能才能使用。說起手機充電器,人們最關心的
現階段矽元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致矽MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而矽元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料製成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化矽功率電晶體,雖然它們比矽更難製造及更昂貴,但也具有獨特的優勢和優越的
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