N溝道100 V標準電平STripFET F8功率MOSFET,採用PowerFLAT 5x6封裝,125 A和4.6 mΩ(最大值)
產品說明
STL120N10F8是第一款採用新型STripFET F8溝槽MOSFET技術製造的100V器件,完全符合工業級應用要求。新型MOSFET既優化了體漏極二極體性能,也降低了導通電阻和開關損耗,可在功率轉換和電機控制電路中節約能源並確保低噪聲。
產品特色
• 體漏極二極體具有出色的平緩性
• 低輸出電容和串聯電阻
• 低柵-漏電荷
• 緊密的柵極閾值電壓分布
• 超高電流能力
產品優勢
• 低EMI噪聲輻射
• 關斷時的漏-源峰值電壓低,振盪時間短
• 快速關斷和低開關損耗
產品說明
STL120N10F8是第一款採用新型STripFET F8溝槽MOSFET技術製造的100V器件,完全符合工業級應用要求。新型MOSFET既優化了體漏極二極體性能,也降低了導通電阻和開關損耗,可在功率轉換和電機控制電路中節約能源並確保低噪聲。
產品特色
• 體漏極二極體具有出色的平緩性
• 低輸出電容和串聯電阻
• 低柵-漏電荷
• 緊密的柵極閾值電壓分布
• 超高電流能力
產品優勢
• 低EMI噪聲輻射
• 關斷時的漏-源峰值電壓低,振盪時間短
• 快速關斷和低開關損耗
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