物聯網方案列表

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eFuseHVDC800VPSoCAURIXMOTIXCoolSic

英飛凌高壓800V 電子保險絲演示解決方案

隨著人工智慧(AI)工作負載對運算能力和電力需求的急劇增加,「800V高壓直流(HVDC)」供電架構正成為新一代AI資料中心電源供應的關鍵趨勢。 相較於傳統的低壓直流技術,高壓直流帶來的優勢有: 1.大幅提升能源效率和降低損耗 2.提高電源密度和節省空間 3.提升可靠性和降低總體成本 4.支援未來更

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電源
onsemiBOOSTPFCSiCCascodeJFET

友尚推出基於安森美半導體NCP1618 /or NCP1655 和UJ4C075060K3S的≧500W主動式PFC之效率優化方案 (上篇)

早在2021年,安森美半導體在PFC控制技術方面取得了進步,當時領先推出多模式(CrM/DCM/CCM) 主動式PFC控制器NCP1618 /or NCP1655。這個500W主動式PFC初始參考設計採用安森美半導體的多模式(CrM/DCM/CCM)主動式PFC控制器 NCP1618 /or NCP

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電源
Microchip數字電源儲能雙向逆變SiC管

基於Microchip dsPIC33CK256MP506 高性能DSP開發的3.3KW雙向圖騰柱PFC逆變電源方案

       隨著新時代社會經濟爆發式發展,全球能源結構深刻變革,近幾年全球對家用儲能系統的需求也迅速增長。家庭儲能系統,在用電低谷時,戶用儲能系統中的電池組能夠自行充電,以備在用電高峰或斷電時使用。根據 Wood Mackenzie, IEA, SolarpowerEU,USDOE 的數據,全球戶

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電源
AOSα SiC伺服器MOSFET1KW

AOS推出α SiC Product AOK065A60FD Benchmark For Server 1KW 應用方案

前言 : 在當前資料中心和高效能運算需求不斷增長的背景下,電源管理的效率和可靠性變得愈加重要。為滿足此需求,AOS推出了α SiC產品系列中的AOK065A60FD,這款先進的SiC MOSFET專為1KW伺服器應用而設計。憑藉其優越的性能表現,AOK065A60FD能夠在高功率、高頻率的應用場景中

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電源
onsemiNCP5156xSiCIsolation Driver安森美世平mosfet

世平基於安森美NCP5156x系列雙通道隔離驅動IC 評估板介紹

安森美onsemi NCP5156x系列 是隔離式雙通道閘極驅動器分別具有 4.5−A/9−A 拉電流和灌電流峰值。他們是專為快速開關驅動功率 MOSFET 和 SiC 而設計,MOSFET 功率開關。 NCP5156x 提供短且匹配的傳播延遲。個獨立的 5 kVRMS 內部電流隔離輸入到每個輸出以

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電源
STDES-BCBIDIR雙向電池充電器M1P45M12W2-1LASTGAP2SiCD

基於ST 意法半導體 STDES-BCBIDIR 的 11 kW 雙向電池充電器

STDES-BCBIDIR是一款11千瓦雙向電池充電器,是工業和汽車領域高壓充電的完整解決方案。它由兩個功率級組成:一個PFC級和一個隔離的DC-DC級。PFC基於三相全橋拓撲結構。 由於諧振單元的外部連接,DC-DC部分的結構可以配置為DAB( Dual-Active-Bridge)或CLLC(C

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電源
InfineonXMCCoolSiC通訊儲能數字電源

基於Infineon XMC1400搭配CoolSiC™ Mosfet 實現3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數字電源方案

隨著社會經濟發展、能源結構變革,近幾年全球對家用儲能系統的需求量一直保持相當程度的增長。2023年,全球家用儲能系統市場銷售額達到了87.4億美元,預計2029年將達到498.6億美元,年複合增長率(CAGR)為33.68%(2023-2029);便攜儲能市場經過了一輪爆發式增長的狂歡後,現在也迎來

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電源
安森美onsemiNXH010P120MNF1 SiCModuleSiC driver

世平安森美NXH010P120MNF1 SiC Module 應用於5KW的方案介紹

基於節能減碳意識高漲及電力供應偶有突發不足情況,高耗能且效率不佳的設備總會列入優先檢討的對象,除了佔最大耗能的馬達族群外,像電銲/電鍍/電漿等動輒數千瓦起跳的電能轉換族群,若轉換效率能再優化,多少為節能減碳會有些許的貢獻。 而這類型高耗能產品因為耗能高,所以大都採用交流380V或交流480V的電源供

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電源
STSIC第三代半導體CCM PFC4986電動工具

基於ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案

L4986簡介:     L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器,採用專有的乘法器“模擬器”,除了創新型THD優化器,還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真(THD)性能。該器件引腳採用SO封裝,集成了800V 高壓啟動功能,無需使用傳統的放電電阻。可以支持的功率範圍從一兩百瓦到幾千瓦。

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電源
ST第三代半導體SICGNA圖騰柱PFC無橋PFC

ST-基於STM32G474RBT6 MCU的數字控制3KW通信電源方案

STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源,使用完整的ST數字電源解決方案。 電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和後端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正(PFC)和諧波失真(THD)抑制,後記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓

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