傳統的功率半導體被設計用來提升系統的效率以及減少能量損失。可是實際上，出於兩個方面的原因-傳導和開關切換，設備可能會出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術，其改善開關切換的延遲時間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率晶片公司。所謂的氮化鎵功率晶片，其
此設計為30W 小型化壁式Type C PD 充電器，使用TI UCC28780 搭配Navitas NV6252來實現小型化需求，UCC28780是一款高頻有源箝位反激式控制器(ACF)，工作頻率可達1MHz，可操作在零電壓開關（ZVS）且能在寬電壓工作範圍內實現，具有先進的自動調諧技術，自適應死
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