現階段矽元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致矽MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而矽元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料製成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化矽功率電晶體,雖然它們比矽更難製造及更昂貴,但也具有獨特的優勢和優越的
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