世平安森美 NCD57000 IGBT MOSFET 驅動IC 應用於工業馬達控制器

1.方案介绍:

        NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動器，專為高功率應用的高系統效率和高可靠性而設計。
其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統設計及開發。

       NCD57000 可在輸入側提供 5 V 和 3.3 V 信號，並在驅動側提供較寬的偏置電壓範圍，方便線路應用與設計。並且在驅動側也考慮了因開關作動下可能產生的負電壓問題，考慮到了NCD57000在承受負電壓之能力。NCD57000 擁有內部的電流隔離，其隔離能力為> 5 kVrms，（UL1577 等級）和> 1200 VIORM（工作電壓）能力。NCD57000考慮應用在開關切換應用，擁有很低的傳播延遲能力，最大延遲90 ns和最小的小脈衝失真 25 ns，並擁有很高的共模瞬變抗擾度 (CMTI) ，提高了對雜訊的抗干擾能力，在 VCM = 1500 V 條件下至少可以承受 100kV/us（最小值）

      目前NCD57000 採用寬體 SOIC-16 封裝，可保證輸入和輸出之間的爬電距離為 8 mm，以滿足增強的安全絕緣要求。



2.方塊圖:

3.電路圖:







4.測試數據:

延遲時間量測:
NCD57000應用在開關切換有很低的傳播延遲能力。波型量測下可以看到延遲僅約0.05uS。

(IN+:輸入訊號;VG: NCD57000驅動訊號;Ig:驅動電流)

驅動電壓基準電位:

NCD57000驅動電壓的基準電位穩定且不太受環境溫度影響，不論驅動(source)或關斷(Sink)基準電位應用在大範圍的溫度變化，仍可保持在一個穩定區間，可使線路設計穩定，時實際應用也會較方便.

5.方案规格:

輸入電壓 (VDD1)	6V
輸入電壓(VDD2)	25V
負壓承受能力	-0.3V
驅動電流	4A
關斷電流	6A
電流隔離能力	5KV
抗靜電能力	2KV
功耗	1400mW

 

NCD57000相關資料:

NCD57000                     : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ncd57000-d.pdf

NCD57000 EVM Bom     :https://www.onsemi.com/pub/collateral/seco-ncd57000-gevb_bom_rohs.pdf

NCD57000 EVM Gerber :https://www.onsemi.com/pub/collateral/seco-ncd57000-gevb_gerber.zip

NCD57000 EVM Test     :https://www.onsemi.com/pub/collateral/seco-ncd57000-gevb_test_procedure.pdf