電源適配器曾在電子產品中占據相當大的空間，而市場對於高功率密度的需求也正日益增高。過去矽(silicon)電源技術的發展與創新曾大幅縮減產品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現今的尺寸規格下，矽材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對於未來的5G無線網絡、機器人，以及再生能源至數據中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高於矽，輸出電容也大大小於矽，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現更高功率的小尺寸電源。
►場景應用圖
►產品實體圖
►方案方塊圖
►核心技術優勢
高頻率准諧振反激控制晶片 支持8pin與9pin的2種封裝 集成了HV pin，裡面同時集成了BO與X2電容放電功能 NCP1342有波谷鎖定功能，最多6個波谷鎖定。 最小工作頻率（26KHz）的鉗制和安靜跳模式 空載功耗 < 30 mW @ 265 Vac 頻率抖動以減小EMI干擾 頻率反走以及MPCM（最小峰值電流調製）功能來減少開關次數提高輕載效率
►方案規格
1. 採用NCP1342搭配英諾賽科的INN650D0265W做的小體積電源適配器，尺寸：60*31*31mm 2. 待機功耗小於60mW 3. 功率密度達到18W/in3 4. 滿載最大效率達到94% 5. 支持PD3.0