友尚推出基於ST 交流半有源整流控制搭配MasterGaN 的200W高功率密度遊戲適配器設計方案

在追求高效率高密度的現在,如何提升效率是各家不變的課題,ST 推出的 STDES-200GANADP 透過半有源電橋整流控制搭配第三代半導體模組 MasterGaN1來實現高功率密度的AC-DC 200 W 轉換器,專為一體機系統、遊戲應用、LED 電視 SMPS 和照明應用量身定制。本方案透過半有源電橋來減少在傳統橋式整流器上順向導通電壓造成的導通損耗,也大大減少了零件上的溫度問題以及散熱片的體積。以及利用雙通道GaN FET模組MasterGaN1搭配PFC/LLC 集成IC STCMB1來減少切換和導通損耗並消除了反向恢復損耗,使LLC得到更高的效率表現。

本篇方案相關檔案及資訊接來自『STDES-200GANADP - 19 V - 200 W adapter reference design based on STCMB1, SRK2001A and MASTERGAN1 - 意法半导体STMicroelectronics

►場景應用圖

千圖網授權-千圖網授權

►展示板照片

ST官網-ST官網

ST官網-ST官網

►方案方塊圖

ST官網-ST官網

►circuit schematic (1 of 4)

ST官網-ST官網

►Circuit schematic (2 of 4)

ST官網-ST官網

►Circuit schematic (3 of 4)

ST官網-ST官網

►circuit schematic (4 of 4)

ST官網-ST官網

►核心技術優勢

• STCMB1:具有 X 電容放電能力的過渡模式 PFC及LLC 諧振高集成控制器 / PFC 專有的恆定導通時間控制方法,不需要正弦輸入參考,從而降低設計成本 / LLC 基於專有的時移控制,來優化動態響應和輸入紋波抑制。 • MASTERGAN1:高度集成的閘極驅動及半橋架構GaN 晶體管 / 可大幅降低切換和傳導損耗並消除反向恢復損耗,確保更高的效率 / 簡化電路佈局和提高控制電路的穩定度 / 具UVLO及Interlocking保護機制。 • SK2001A:LLC諧振的二次側同步整流控制器 / 具有自適應遮蔽時間(高達時鐘週期的 10%)和自適應關斷邏輯 / 高電流驅動能力及極低的輕載功耗 / 閘極高電平箝位功能。

►方案規格

• 輸入電壓範圍 :90 ~ 264 VAC,頻率為 47 ~ 63 Hz • 輸出規格 :19 VDC,10.5 A • 最大輸出功率 :200 W • 效率標準 :符合CoC ver. 5 Tier 2 和 DoE level 6 要求 • 滿載效率 :> 94% @115 VAC,> 95% @230 VAC • 待機效率 :> 50% @Pout=250 mW,符合EuP lot 6 Tier 2 要求(家用和辦公設備) • 空載電源功耗 :118 mW @230 VAC,低於歐洲 CoC ver.5 Tier 2 要求(外部電源)

技術文檔

類型標題檔案
硬件STDES-200GANADP test report
硬件Keyparts