基於-TN1435-STDES-DABBIDIR 25 kW 雙有源橋雙向電源轉換器,以電動汽車充電統電池儲能

介紹

STDES-DABBIDIR 為大功率雙向 DC-DC 電源轉換器提供完整的解決方案。提出了一種基於 ACEPACK 2 SiC 功率模塊的雙有源橋拓撲。
使用支持數字密集型電源控制並針對混合信號應用進行優化的 STM32G474RE MCU。
得益於最新一代 SiC 功率模塊和高頻操作（100 kHz），高性能和設計達到優化。 根據負載/電壓，軟開關 DAB 行為也由調製技術管理變化。
雙向模式操作支持 V2G 和 V2L 實施以及 UPS 和電池儲能應用。
DAB DC-DC 級由兩個全橋和一個 25 kW 的單個磁性組件組成，包括隔離變壓器和電感。

硬體模塊化結構包括以下部分：

• 帶有 ACEPACK 2 SiC 電源模塊的主電源板、用於初級高壓側的全橋 A2F12M12W2-F1 和兩個次級 LV 側的半橋。 除了電源模塊、大容量電容器、傳感部分和輔助電源也存在。
• 用於全橋 ACEPACK 2 SiC 功率模塊的驅動板，基於 STGAP2SICS 電隔離 4 A 單SiC MOSFET 的柵極驅動器。
• 基於 STGAP2SICS 電隔離 4 A 的半橋 ACEPACK 2 SiC 功率模塊的兩個驅動板用於 SiC MOSFET 的單柵極驅動器。
• 基於 STM32G474RET3 系列微控制器的控制板，帶有用於通信和用於測試和監控的編程、測試點和狀態指示器。

A2F12M12W2-F1

應用：直流/直流轉換器
描述：這種採用四組拓撲結構的 ACEPACK 2 電源模塊集成了先進的矽STMicroelectronics 的碳化物功率 MOSFET 技術。
該模塊利用寬帶隙碳化矽材料的創新特性和高熱性能基質。
結果是每單位面積的導通電阻極低以及幾乎不受溫度影響的出色開關性能。
一個NTC 傳感器完成設計。

STGAP2SICS 用於 SiC MOSFET 的電隔離 4 A 單柵極驅動器

描述：STGAP2SICS 是一款單柵極驅動器，可在柵極驅動通道和低壓控制和接口電路。

柵極驅動器具有 4 A 能力和軌到軌輸出的特點，使得器件也適用於中高功率應用，例如電源轉換和工業應用中的電機驅動逆變器。
該設備可在兩種不同的配置。具有分離輸出引腳的配置允許通過使用專用柵極電阻獨立優化開啟和關閉。
具有單輸出引腳和米勒箝位功能的配置可防止半橋拓撲中快速換向期間的柵極尖峰。 兩種配置為外部組件提供高靈活性和材料清單減少。
該器件集成了保護功能：具有針對 SiC 的優化值的 UVLO包括 MOSFET 和熱關斷以促進高度設計可靠的系統。
雙輸入引腳允許選擇信號極性控制和實施硬體聯鎖保護，避免發生交叉導通控制器故障。
輸入到輸出傳播延遲小於 75 ns，這提供高PWM控制精度。 待機模式可減少閒置能量消耗。