基於 PI InnoSwitch3-AQ INN3949CQ 之 60W 快速充電站之輔助電源方案

InnoSwitch3-AQ 是一顆整合了高壓 MOSFET 開關以及一次側和二次側controller IC,它採用了一種新穎的電感耦合技術 (FluxLink),使用封裝引線框架和鍵合線,以提供一種安全、可靠且具有成本效益的方法,將準確的輸出電壓和電流信息從二次側控制器傳輸到一次側控制器,控制方式則是採用是準諧振 (QR) 控制方法,能夠在連續導通模式 (CCM)、邊界模式 (CrM) 和非連續導通模式 (DCM) 下操作,IC內部也運用了變頻與變電流的控制方案。

IC內部一次側控制器是由許多電路元件組成,包含一個頻率抖動振盪器、磁耦合到次級控制器的接收器電路、一個限流控制器、PRIMARY BYPASS 引腳上的 5 V 穩壓器、用於輕負載操作的聲音降噪引擎、旁路過壓檢測電路、電流限制選擇電路、過溫保護、前沿消隱和 750 V、900 V 和 1700 V 電源開關。

二次側控制器則由磁耦合到初級接收器的發射器電路、恆定電壓 (CV) 和恆定電流 (CC) 控制電路、次級旁路引腳上的 4.4 V 穩壓器、QR 模式電路、振盪器和定時電路,以及眾多的集成保護功能。
下圖1 和圖2 為一次側和二次側IC控制器的功能框圖,突出了最重要的特性。

 
圖1 一次側控制方塊圖
 
圖2 二次側控制方塊圖

此範例為一輸入範圍為50 -1000VDC, 輸出60W/24V之EVB,使用的控制IC為InnoSwitch3-AQ系列的INN3949CQ,此EVB具有以下特性:具有高輸入電壓範圍,高達 1000 VDC,可以在極熱條件85 ºC下工作,內含同步整流控制器效率可達82%以上,以及對變壓器變化較為可控跟極快瞬態響應,都是此EVB獨特的優勢。

►場景應用圖

►展示板照片

►方案方塊圖

►核心技術優勢

高度集成,縮小應用面積 • 在全負載範圍內效率高達 90% • 包含multi-mode Quasi-Resonant (QR) / CCM flyback控制器以及不同耐壓的MOSFET(750 V、900 V、1700 V)和二次級側偵測 • 集成 FluxLink™,增強型隔離反饋鏈路 • 寬輸入電壓 30 V 至 >1000 VDC EcoSmart™ – 節能 • 空載Power dissipation 小於 15 mW • 熱損耗小

►方案規格

• 輸出的過電壓和過電流保護使用自動重啟故障響應 • 具備精準的輸出過電流閾值 • 採用可程式設計的輸入欠電壓 • 符合 AEC-Q100 標準 • Fab、組裝和測試場地通過 IATF16949 認證 • 符合 IEC60664-1 的強化隔離 • 具備UL1577、TUV (EN62368-1)、CQC (GB4943.1) • 抗噪能力能夠達到 Class A

技術文檔

類型標題檔案
硬件Power Test Report
硬件Schematics+PCB Layout