東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用於桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產品於今日起開始出貨。
GT20N135SRA的集電極-發射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極體正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當前產品[3]低10%和21%。IGBT和二極體都針對高溫（TC=100℃）條件下的導通損耗特性進行了改進，而且新款IGBT還有助於降低設備功耗。該產品的結殼熱阻為0.48℃/W（最大值），比當前產品[3]低26%，有助於簡化熱設計。
新款IGBT在設備開機時能抑制通過諧振電容的短路電流。其電路電流[4]峰值為129A，比當前產品[3]低31%。由於其安全工作範圍擴大，相對於當前產品[3]而言，設備設計也有所簡化。
應用:
- 使用電壓諧振電路的家用電器（如桌面電磁爐、電飯煲和微波爐等）。
特性:
- 低導通損耗：
VCE(sat)=1.6V（典型值）（@IC=20A、VGE=15V、Ta=25℃）
VF=1.75V（典型值）（@IF=20A、VGE=0V、Ta=25℃）
- 低結殼熱阻：Rth(j-C)=0.48℃/W（最大值）
- 在設備開機時能抑制通過諧振電容的短路電流
- 較大的安全工作範圍
主要規格:
（除非另有說明，@Ta=25℃）
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器件型號 |
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封裝 |
TO-247 |
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絕對最大額定值 |
集電極-發射極電壓 VCES （V） |
1350 |
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集電極電流 （DC） IＣ @TC=25℃ （A） |
40 |
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集電極電流 （DC） IＣ @TC=100℃ （A） |
20 |
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結溫 Tj （℃） |
175 |
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集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat) 典型值 @IC=20A、 VGE=15V （V） |
1.60 |
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二極體正向電壓 VF 典型值 @IF=20A、 VGE=0V （V） |
1.75 |
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切換時間 （下降時間） tf 典型值 @電阻負載 （μs） |
0.25 |
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結殼熱阻 Rth(j-C) 最大值 （℃/W） |
0.48 |
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注釋：
[1] 截至2019年6月，東芝測量的數值。（測試條件：IC=20A、VGE=15V、TC=100℃）
[2] 截至2019年6月，東芝測量的數值。（測試條件：IF=20A、VGE=0V、TC=100℃）
[3] 東芝的當前產品“GT40RR21”
[4] 截至2019年6月，東芝測量的數值。（測試條件：VCC=300V、VGG=15V、C=0.33μF、t=5μs、Ta=25℃）
如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.GT20N135SRA.html
如需了解有關東芝IGBT陣容的更多信息，請訪問以下網址：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt.html
*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
關於東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社，主要從事電子元器件事業和存儲產品事業。其中電子元器件事業包含占市場大份額的分立器件、以及業界先進的系統LSI。在分立半導體領域，集中力量在控制設備功耗的功率器件等產品。在系統LSI領域，通過用於物聯網、汽車電子、通信和電源應用領域的LSI產品，推動全球電子設備的發展。存儲產品事業主要在機械硬盤（HDD）領域，著重開發面向數據中心等企業級大容量存儲產品。東芝通過加強電子元器件事業和存儲產品事業，為支持和推動智能社區和智能生活的建設提供廣泛的半導體解決方案及應用。