AOS推出新型Source Down Pad MOSFET封裝技術

日前，集設計研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體及晶片供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS ) 結合40V遮罩柵溝槽型（SGT) MOSFET技術（AlphaSGT™）推出新型Source Down PAD DFN 5x6產品。AOS創新性的倒裝晶片技術實現了Source PAD在底部的功能，這種封裝技術提供了非常低的封裝電阻和電感。AOE66410非常適用於通訊電源二次測同步整流（SR）、BLDC電機中的半橋應用以及電池管理中MOSFET並聯應用。

AOE66410（40V）具有與標準DFN 5x6封裝相同的外形尺寸，由於採用了新型的倒裝技術，使得源極能以最大面積地連接到印刷電路板（PCB）上。這將使電源設計工程師能夠更輕鬆地並聯器件，並具有更大的散熱面積以消除任何損耗。AOE66410在10Vgs時最大功率為1mOhms，在25°C外殼溫度下最大極電流為100A。