提供高性能NAND；以具有成本效益的方式降低延遲
東京——全球存儲器解決方案領導者東芝存儲器株式會社今日宣布推出一種新的存儲級內存(SCM)解決方案：XL-FLASH™。基於公司創新性BiCS FLASH™ 3D閃存技術 和其中的1bit-per-cell SLC，XL-FLASH™可實現數據中心以及企業級存儲的低延遲與高性能。樣品出貨將於9月啟動，量產計劃預計從2020年開始。
XL-FLASH™被歸類為SCM（或稱持續性內存），能夠像NAND閃存一樣保存其內容，彌補DRAM與NAND之間存在的性能差距。雖然DRAM等易失性存儲器解決方案可提供各類嚴苛應用所需的存取速度，但實現該性能會產生高昂的成本。隨著DRAM的每位元儲存價格和擴容性趨於穩定，存儲器產品中的這一新型SCM（或稱持續性內存）提供了一種高密度、高性價比、非易失性NAND閃存解決方案。
XL-FLASH™介於DRAM與NAND閃存之間，它速度快、延遲低、儲存容量大，但與傳統DRAM相比，成本更低。雖然XL-FLASH™最初以SSD格式開發，但其可擴展成為DRAM總線上的存儲設備，例如未來產業標準的非易失性雙列直插式內存模塊(NVDIMM)。
主要特點:
作為NAND閃存的發明者、率先推出3D閃存儲器技術以及製程升級領先者的公司，東芝存儲器株式會社具備雄厚的實力，能夠利用成熟的製造以及經過時間檢驗的SLC可靠性技術，
完美得交付基於SLC的SCM.
注:
所有公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。
所提及的每一款東芝存儲器株式會社產品：產品儲存密度根據產品內建的存儲器晶片密度來確定，而非最終使用者資料儲存的可用存儲器容量。由於額外負荷資料區域、格式設定、壞塊及其他制約因素，使用者可用容量會減少，根據不同的主機設備和應用，使用者可用容量可能也會有所差異。請參考適用的產品規格瞭解詳情。定義1Gb = 2^30 bits= 1,073,741,824 bits。定義1GB = 2^30 bytes= 1,073,741,824 bytes。定義1KB = 2^10 bytes= 1,024 bytes。
東京——全球存儲器解決方案領導者東芝存儲器株式會社今日宣布推出一種新的存儲級內存(SCM)解決方案：XL-FLASH™。基於公司創新性BiCS FLASH™ 3D閃存技術 和其中的1bit-per-cell SLC，XL-FLASH™可實現數據中心以及企業級存儲的低延遲與高性能。樣品出貨將於9月啟動，量產計劃預計從2020年開始。
XL-FLASH™被歸類為SCM（或稱持續性內存），能夠像NAND閃存一樣保存其內容，彌補DRAM與NAND之間存在的性能差距。雖然DRAM等易失性存儲器解決方案可提供各類嚴苛應用所需的存取速度，但實現該性能會產生高昂的成本。隨著DRAM的每位元儲存價格和擴容性趨於穩定，存儲器產品中的這一新型SCM（或稱持續性內存）提供了一種高密度、高性價比、非易失性NAND閃存解決方案。
XL-FLASH™介於DRAM與NAND閃存之間，它速度快、延遲低、儲存容量大，但與傳統DRAM相比，成本更低。雖然XL-FLASH™最初以SSD格式開發，但其可擴展成為DRAM總線上的存儲設備，例如未來產業標準的非易失性雙列直插式內存模塊(NVDIMM)。
主要特點:
- 128 gigabit (Gb) die（支持2-die、4-die、8-die封裝）
- 4KB分頁大小，操作系統讀寫效率更高
- 16-plane結構，更高效的並行性
- 快速的分頁讀以及編程時間。 XL-FLASH™ 可提供低於5微秒的低讀取延遲，比現有的TLC快大約10倍
作為NAND閃存的發明者、率先推出3D閃存儲器技術以及製程升級領先者的公司，東芝存儲器株式會社具備雄厚的實力，能夠利用成熟的製造以及經過時間檢驗的SLC可靠性技術，
完美得交付基於SLC的SCM.
注:
所有公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。
所提及的每一款東芝存儲器株式會社產品：產品儲存密度根據產品內建的存儲器晶片密度來確定，而非最終使用者資料儲存的可用存儲器容量。由於額外負荷資料區域、格式設定、壞塊及其他制約因素，使用者可用容量會減少，根據不同的主機設備和應用，使用者可用容量可能也會有所差異。請參考適用的產品規格瞭解詳情。定義1Gb = 2^30 bits= 1,073,741,824 bits。定義1GB = 2^30 bytes= 1,073,741,824 bytes。定義1KB = 2^10 bytes= 1,024 bytes。
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