1z-nm 8Gb DDR4將於2019下半年量產
三星電子是先進存儲器技術的全球領導者，2019年三月宣布首次開發出第三代10奈米級（1z-nm）八千兆位（Gb）DDR4 DRAM。自開始批量生產第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，開發1z-nm 8Gb DDR4而不使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理已經突破了DRAM擴展的極限更深入。
隨著1z-nm成為業界最小的存儲器工藝節點，三星現在已準備好應對日益增長的市場需求，新的DDR4 DRAM與之前的1y-nm版本相比，其製造生產率提高了20％以上。
1z-nm 8Gb DDR4的批量生產將在今年下半年開始，以適應預計將於2020年推出的下一代企業服務器和高端PC。
“我們致力於突破技術面臨的最大挑戰，這一直致力於推動我們實現更大的創新。我們很高興為穩定生產下一代DRAM奠定了基礎，確保了最高的性能和能源效益，“三星電子DRAM產品和技術執行副總裁Jung-bae Lee說。 “隨著我們建立1z-nm DRAM陣容，三星的目標是支持其全球客戶部署尖端系統並推動高端記憶體市場的擴散。”
三星開發的1z-nm DRAM為加速全球IT向下一代DRAM介面（如DDR5，LPDDR5和GDDR6）的過渡鋪平了道路，這些介面將為未來的數位創新提供動力。隨後具有更高容量和性能的1z-nm產品將使三星能夠增強其業務競爭力，鞏固其在高端DRAM市場中的領導地位，用於包括伺服器，圖形和移動設備在內的應用。
在與CPU製造商對8 GB DDR4模組進行全面驗證後，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將推出的記憶體解決方案。
根據當前的行業需求，三星計劃在其平澤市(韓國)網站增加主要記憶體產量的一部分，同時與其全球IT客戶合作，以滿足對最先進的DRAM產品不斷增長的需求。
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