東芝推出散熱效果更佳40V N-ch功率MOSFETs-TPWR7904PB & TPW1R104PB, 並且符合AEC-Q101標準

日期 : 2018-09-12

新聞內容

東芝推出散熱效果更佳40V Nch功率MOSFETs

並且符合AEC-Q101標準 –

 Iov-R-4

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出兩款可應用於車用相關設計最新40V Nch MOSFET – TPWR7904PB & TPW1R104PB。此兩款IC皆已經開始量產出貨。

此款IC為U-MOS第九代晶片採用溝槽式結構,其確保高散熱及低電阻的特性。讓散熱設計更加靈活。與前一代相比,U-MOS第九代的切換干擾也較低,EMI表現效果較佳。

封裝採用DSOP Advance (WF; Wettable Flank) 為側翼可沾錫的封裝結構。雙面散熱封裝,低電阻以及小尺寸。

 

產品特點

-             符合AEC-Q101標準

-             頂板(Top plate)及源極作為散熱途徑

-             wettable flank可提升AOI檢測度

-             U-MOS第九代系列特性為低電阻、低干擾

應用方面

-             電動輔助轉向系統

-             負載開關

-             電動幫浦

產品規格

(@Ta=25℃)

產品料號

絕對最大額定值

Drain-source 電阻
RDS(ON) max(mΩ)

內建定電壓二極體

系列

封裝

Drain- 源極電壓 VDSS
(V)

Drain 電流 (DC) ID
(A)

@VGS
6V

@VGS= 10V

TPWR7904PB

40

150

1.3

0.79

No

U-MOS IX-H

DSOP Advance(WF)L

TPW1R104PB

120

1.96

1.14

DSOP Advance(WF)M

[1] EMI(電磁干擾)

[2] Wettable Flank Terminal: 一種端子結構,能在電路板上進行自動光學檢測(AOI)的安裝

[3]請注意該頂板電壓與源極電壓相同,但不可作為電極使用

 

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