英特爾的新的SSD 660p標誌著Intel首款基於QLC快閃記憶體的消費級SSD正式推向市場。英特爾的64層3D QLC快閃記憶體技術是提高快閃記憶體容量的關鍵技術。MLC 快閃記憶體每個單元存儲2位元，TLC 存儲3位元，但QLC將4位元塞進每個單元。33%的密度增長意味著更少的成本增加更多的存儲容量。
從上圖可以看到從SLC到QLC，成本越來越低，但性能和寫速度也越來越低。那麼採用QLC的660P性能和速度又會如何？從下圖可以看出660P的性能參數。
(點擊可放大圖片)
可以看到順序讀寫可以達到1800MB/s,4K隨機讀速度最高可以到220000IOPS，4K隨機寫速度也可以達到220000IOPS。起步容量為512G，最高2TB容量。不過，QLC難免耐用性脆弱，三種容量的660p都是0.1DWPD（每天0.1次全盤寫入，即51.2GB），512GB的總寫入為100TBW，1T的總寫入為200TBW，2T的總寫入為400TBW，都提供5年質保。
從4K隨機讀寫來看，性能介於860EVO和970EVO中間，從上述總結來看，屬於性價比比較高的產品，用SATA的價格達到PCIE的性能，對於普通的消費類應用來說是可以滿足需求，比如用作檔/視頻存儲盤是非常合適的。
從上圖可以看到從SLC到QLC，成本越來越低，但性能和寫速度也越來越低。那麼採用QLC的660P性能和速度又會如何？從下圖可以看出660P的性能參數。
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可以看到順序讀寫可以達到1800MB/s,4K隨機讀速度最高可以到220000IOPS，4K隨機寫速度也可以達到220000IOPS。起步容量為512G，最高2TB容量。不過，QLC難免耐用性脆弱，三種容量的660p都是0.1DWPD（每天0.1次全盤寫入，即51.2GB），512GB的總寫入為100TBW，1T的總寫入為200TBW，2T的總寫入為400TBW，都提供5年質保。
從4K隨機讀寫來看，性能介於860EVO和970EVO中間，從上述總結來看，屬於性價比比較高的產品，用SATA的價格達到PCIE的性能，對於普通的消費類應用來說是可以滿足需求，比如用作檔/視頻存儲盤是非常合適的。
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