Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的30 V和40 V P溝道MOSFET，占位空間僅為DPAK封裝器件的50%

       Vishay 推出新款30 V和40 V汽車級P ch功率MOSFET，採用鷗翼引線結構PowerPAK SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節省PCB空間並降低成本，同時導通電阻低於任何鷗翼引線結構5 mm x 6 mm封裝MOSFET。
  

由於需要很高功率，12 V汽車系統馬達驅動和主電源要求MOSFET在各種應用中具有極低的導通電阻，如電池反向極性保護和高邊開關。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V條件下，導通電阻分別為4.4 mW和7.0 mW，完全可以滿足這種要求。此外，作為p溝道MOSFET，兩款器件是理想的負載開關，不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。
  

日前發佈的MOSFET工作溫度可達+175 °C，同時鷗翼引線結構可緩解溫度迴圈過程中、主機板彎曲、振動和意外跌落產生的機械應力，與剛性QFN封裝相比，具有更加優異的板級可靠性。鷗翼引線結構還有助於自動光學檢測 (AOI) 過程獲得更加一致可靠的結果。

器件採用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經過100 % Rg和UIS測試。