為滿足電力電子系統對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發展。為了向系統設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）近日宣布推出採用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓範圍的IGBT 7器件組合。
這一新產品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續發展、電動汽車和數據中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態系統、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件。
設計人員可根據自己的要求選擇合適的功率器件解決方案。IGBT 7器件採用標準D3和D4 62毫米封裝，以及SP6C、SP1F和SP6LI封裝。該產品組合可在以下拓撲結構中提供多種配置：三電平中性點鉗位（NPC）、三相橋、升壓斬波器、降壓斬波器、雙共源、全橋、相腿、單開關和T型。支持電壓範圍為1200V至1700V，電流範圍為50A至900A。
Microchip負責分立產品業務的副總裁Leon Gross 表示：“多功能 IGBT 7系列產品是易用性和成本效益與更高功率密度和可靠性的完美結合，為我們的客戶提供了最大的靈活性。這些產品專為通用工業應用以及專業航空航天和國防應用而設計。此外，我們的電源解決方案還可與Microchip廣泛的FPGA、單片機（MCU）、微處理器（MPU）、dsPIC®數字信號控制器 （DSC）和模擬器件集成，能夠實現由一家供應商提供全面的系統解決方案。”
更低的導通IGBT電壓 （Vce）、改進的反並聯二極體（Vf更低）和更高的電流能力可實現更低的功率損耗、更高的功率密度和更高的系統效率。低電感封裝加上Tvj -175°C時更高的過載能力，使這些器件成為以較低系統成本創建堅固耐用、高可靠性航空和防務應用（如推進、驅動和配電）的絕佳選擇。
對於需要增強dv/dt可控性的電機控制應用，IGBT 7器件經過設計，可實現高效、平滑和優化的開關驅動，從而使電機平滑轉動。這些高性能器件還旨在提高系統可靠性、降低EMI和減少電壓尖峰。
Microchip提供廣泛的電源管理解決方案組合，包括模擬器件、矽（Si）和碳化矽（SiC）電源技術、dsPIC® 數字信號控制器 （DCS）以及標準、改進和定製電源模塊。有關Microchip電源產品的更多信息，請訪問網站查閱。