EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
EPC推出採用緊凑型QFN封裝( 3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET (EPC2361)，助力DC/DC轉換、快充、馬達控制和太陽能 MPPT等應用實現更高的功率密度。
全球增强型氮化鎵 (GaN) 功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm （EPC2361）。 這是市場上具有最低導通電阻的 GaN FET，與 EPC 的上一代産品相比，功率密度提高了一倍。
EPC2361 的RDS(on) 典型值只有1 mOhm，採用耐熱的QFN封裝，頂部裸露，封裝面積只有3 mm x 5 mm。 EPC2361的RDS(on) 最大值x 面積僅為15 mΩ*mm2 – 比等效100 V 矽 MOSFET的體積小超過五倍。
憑藉超低導通電阻，EPC2361可在電源轉換系統中實現更高的功率密度和更高的效率，從而降低能耗和散熱。 它為多種應用諸如高功率 PSU AC/DC同步整流、數據中心的高頻 DC/DC 轉換、電動汽車、機器人、無人機和太陽能 MPPT 的馬達控制器，帶來突破性的性能。
宜普電源轉換公司的首席執行長兼聯合創始人 Alex Lidow表示：「EPC的新型1 mΩ GaN FET 突破了氮化鎵技術的極限，助力客戶創建更高效、更小和更可靠的電力電子系統。」
開發板
EPC90156 開發板是一款採用半橋EPC2361 GaN FET ，專為100 V 最大元件電壓和 xx A 最大輸出電流而設計，旨在簡化功率系統設計人員對氮化鎵元件的評估過程，以加快產品的上市時間。 此板的尺寸為2”x 2” (50.8 mm x 50.8 mm) ，專為實現最佳開關性能而設計，而且包含所有關鍵組件以便於評估。