作者 : TOSHIBA
出處 : https://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news/news-topics/2024/02/mosfet-20240222-1.html
東芝推出高速二極管型功率MOSFET, 助力提高電源效率
-新壹代DTMOSVI系列的新成員，具有超級結結構-中國上海—東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新壹代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用於包括數據中心和光伏功率調節器等應用的開關電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產品"TK042N65Z5”和“TK095N65Z5"，於今日開始支持批量出貨。
新產品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關重要的反向恢復[2]特性。與標準型DTMOSVI相比，新產品將反向恢復時間（trr）縮短了65 %，並將反向恢復電荷（Qrr）減少88 %（測試條件：-dIDR/dt＝100 A/μs）。
新產品采用的DTMOSVI（HSD）工藝改善了東芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢復特性，並在高溫下具有更低的漏極截止電流。此外，新產品的品質因數“漏極-源極導通電阻×柵極-漏極電荷”也更低。相較於東芝現有的TK62N60W5[4] [5]器件，TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90 %[3]，漏極-源極導通電阻×柵極-源極電荷降低了72 %。這將壹進步將降低功率損耗，有助於提高產品效率。在1.5 kW LLC電路[6]測試中，與使用TK62N60W5相比，使用TK042N65Z5可使電源效率提高約為0.4 %。
即日起，客戶可在東芝網站上獲取使用TK095N65Z5的參考設計“1.6 kW服務器電源（升級版）”。此外，東芝還提供支持開關電源電路設計的相關工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供能夠準確地再現電路瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝計劃在未來擴展DTMOSVI（HSD）的產品線。新器件將采用TO-220和TO-220SIS通孔型封裝，以及TOLL和DFN 8Í8表貼型封裝。
此外，在已推出的650 V和600 V產品以及新的高速二極管型產品基礎上，東芝還將繼續擴展DTMOSVI系列的產品線，以提高開關電源的效率，為設備節能做出貢獻。
