BASiC 新品速遞 | 應用於新能源汽車的Pcore™2 DCM碳化矽MOSFET模塊

日期 : 2024-02-26
標籤 :
車用 新能源 主驅逆變器 碳化矽 功率模塊

新聞內容

作者 : 基本半導體官網
出處 : https://www.basicsemi.com/tcn/h-nd-529.html
Pcore™2
採用溝槽型碳化矽MOSFET晶片的低導通電阻轉模型功率模塊

採用溝槽型碳化矽MOSFET晶片的低導通電阻轉模型功率模塊

汽車級DCM碳化矽MOSFET系列模塊Pcore™2是基本半導體專為新能源汽車主驅逆變器應用設計的一款高功率密度的碳化矽功率模塊。

該產品為業內主流DCM封裝模塊,採用先進的有壓型銀燒結工藝高性能粗銅線鍵合技術使用氮化矽AMB陶瓷基板,以及直接水冷的PinFin結構。產品具有低動態損耗、低導通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點,可支持連續運行峰值結溫至175℃,以及具備650Arms以上連續峰值相電流輸出。

產品特點
• 溝槽型、低RDS(on) 碳化矽MOSFET晶片

• 雙面有壓型銀燒結
• DTS(Die Top System)連接系統
• 高密度銅線綁定技術
• 高性能氮化矽AMB陶瓷板
• 直接水冷的PinFin結構
• 更低的熱阻Rth(j-f)<0.09 K/W    

應用優勢
 

• 低開關損耗
• 低雜散電感
• 高輸出功率密度
• 工作結溫高達175℃(連續運行)
• 適配主驅逆變器應用優化特性
• 多種晶片並聯組合形式
• 高可靠性

應用領域
• 新能源乘用車、商用車等的電力驅動系統
• 燃料電池能源轉換系統

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