新品丨600V αMOS7™超結高壓MOSFET

日期 : 2023-12-06
標籤 :
AOSαMOS7MOSFET

新聞內容

作者 : AOSemi微信官方帳號
出處 : https://mp.weixin.qq.com/s/DjeZAe7h326vtXozL9UEug


日前,集設計研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體及晶片供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出600V αMOS7™超結高壓MOSFET。 αMOS7™是AOS最新一代高壓 MOSFET平臺,旨在滿足伺服器、工作站、通信電源整流器、太陽能逆變器、EV 充電、電機驅動和工業電源應用等高效率和高密度電源設計需求。

當今的伺服器電源需要達到鈦金效率等級,這也意味著在 PFC 和 LLC的峰值效率需要高達 98.5% 以上。 使用有源整流橋和無橋設計是當前比較容易實現鈦金效率的解決方案; 然而,開關和驅動損耗仍然是設計人員所面臨的一大挑戰,尤其在輕載條件下。 現有超結技術受限於較大的單元間距和較多的驅動電荷量,很難滿足鈦金等級的效率要求。

新一代超結產品在減少驅動電荷量的同時兼顧了元件的穩健性,可滿足當前市場上有廣泛應用需求。 此外,αMOS7™具備低 Qrr 和 Trr 等特性,完美滿足了LLC 和 PSFB等應用的瞬態和異常工況下的要求,正是高功率、高性能電源設計的最佳方案。

針對太陽能應用,最先進的設計常採用低導通電阻的SMD元件搭配3D結構和散熱設計來進一步縮小外形尺寸。 αMOS7™ 提供齊全的 Rdson 範圍以及多種SMD 封裝選擇,包含 DFN、TOLL 和頂部散熱封裝等,供設計者以優化太陽能電源設計。

對於固態繼電器(Solid-State Relays)或有源整流橋(Active Bridges),MOSFET的體二極體也必須具備強壯的安全操作範圍(SOA),以承受應用時的浪湧電壓和浪湧電流。 αMOS7™ 具有很低的 Rdson 溫度係數以及穩健的體二極體,可適應於瞬態電壓和電流的過載體場景,充分滿足固態繼電器或有源整流橋等應用需求。

AOK050V60A7 是AOS發佈的第一款αMOS7產品 ,採用行業標準TO-247 封裝的600V 50mOhm器件,專為當今的高功率 AC/DC、DC/DC 和太陽能逆變器應用量身定製。 隨著歐盟 ERP Lot9 法規將單個 PSU 的效率推向鈦級,AOS αMOS7™ 600V 低歐姆系列為單端拓撲、交錯、雙升壓、圖騰柱和 Vienna PFC 以及其他硬開關拓撲提供理想的解決方案。 經過優化的AOK050V60A7將為客戶提供出色的開關性能,具有極快的開通、關斷速度,同時避免了誤觸發導通或上下直通的風險。 後續我們將陸續推出32mohm、40mohm、65mohm和105mohm及不同封裝的解決方案,以對應不同應用的需求。

AOS 產品線和全球電源業務資深總監 Richard Zhang 表示:“與我們現有的αMOS5™ 解決方案相比,αMOS7™新的電荷平衡技術可以進一步減少高達 50% 的有源面積。 總的來說,αMOS7™是業界領先的高壓超結解決方案,可完美滿足關注效率和成本的市場需求“。


技術亮點

•  具有超低開關損耗的低導通電阻器件

• 堅固的體二極體和可選帶快恢復二極體(降低 Qrr),適用於更多應用場景

• 堅固的SOA和浪湧電流能力,適用於固態繼電器和有源整流橋應用

• 針對高功率和低功率SMPS、太陽能逆變器和電動汽車直流充電應用進行了優化