作者 : AOSemi微信官方帳號
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新型AOCR33105E採用最新溝槽功率 MOSFET 技術設計，共漏極結構，簡化客戶設計。 它具有超低導通電阻和ESD保護，可提高保護開關和行動電池充電和放電電路等電池管理的性能和安全性。
日前，集設計研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體及晶片解決方案供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS， 納斯達克代碼：AOSL）推出了用於電池管理應用的 MRigidCSP™ 封裝技術。 AOS首顆應用該新型封裝技術的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實現在降低導通電阻的同時提高CSP產品的機械強度。 這項新升級的封裝技術非常適合智慧手機、平板電腦和超薄筆記型電腦的電池應用。
現如今便攜式電子設備的快速充電功能已逐步優化，這一應用要求電池管理電路具有較低的功率損耗。 隨著手機廠家和客戶對更高充電電流的需求增加，繼而需要超低電阻產品來提高電池的性能。 在標準晶圓級 CSPs （WL-CSPs） 產品中採用背靠背 MOSFET 時，矽基材的電阻在電池管理應用中佔據了總電阻的很大一部分。 較薄的基材可降低總電阻，但同時由於較薄的產品也會大大降低產品的機械強度。 機械強度的降低可能會在PCB組裝迴流焊接過程中產生更大的應力，造成晶元翹曲或晶元破裂，從而導致應用端不良。 新型AOCR33105E採用最新溝槽功率 MOSFET 技術設計，共漏極結構，簡化客戶設計。 它具有超低導通電阻和ESD保護，可提高保護開關和行動電池充電和放電電路等電池管理的性能和安全性。
“AOS新型雙 N 溝道 MOSFET 率先採用 MRigidCSP 技術封裝，可應用於較大的高寬比 CSP 裸片，器件的電性能和封裝強壯性都得到了顯著提升，具備更高的可靠性。 先進的封裝結構解決了客戶在生產組裝過程中出現的形變和斷裂問題，為客戶提供更高性能和可靠性的解決方案。 “AOS MOSFET 產品線資深市場總監 Peter H. Wilson 說道。
主要特性
