Toshiba 推出適用於半導體測試儀高頻訊號開關的小型光繼電器

日期 : 2023-11-21
標籤 :
AITg/詮鼎/Toshiba/東芝半導體/光繼電器/高頻訊號

新聞內容

作者 : 東芝半導體官網
出處 : https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/news-topics/2023/10/isolators-solid-state-relays-20231017-1.html

川崎—東芝電子元件及儲存裝置株式會社(“Toshiba”)日前推出了"TLP3475W"。這款光繼電器採用小巧輕薄的WSON4封裝,可降低插入損耗並抑制高頻訊號[1] 的功率衰減,適用于使用大量繼電器並需要高速訊號的半導體測試儀引腳電子裝置。該產品即日起開始批量發貨。

Toshiba經過最佳化的封裝設計減少了新款光繼電器中的寄生電容和電感。這降低了插入損耗,將高頻訊號的傳輸特性提高到20GHz(典型值) [2],比Toshiba當前產品TLP3475S低約1.5倍[2]

TLP3475W採用小巧輕薄的WSON4封裝,厚度僅為0.8毫米(典型值),使其成為業界最小的 [3]光繼電器,從而實現了更好的高頻訊號傳輸特性。與Toshiba的超小型S-VSON4T封裝相比,它的高度降低了40%,從而可以在同一電路板上安裝更多產品,並有助於提高測量效率。

Toshiba將繼續擴大其產品陣容,以支援速度更快、功能更多的半導體測試儀。



應用

  • 半導體測試儀(高速記憶體測試儀、高速邏輯測試儀等)
  • 探針卡
  • 測量裝置


特性

  • 業界最小的[3]WSON4封裝:1.45mm×2.0mm(典型值),t=0.8mm(典型值)
  • 改善高頻訊號透過特性:f=20GHz(典型值)@插入損耗(S21) = -3dB
  • 常開功能(1-Form-A)


備註:

[1] 當頻帶在幾百兆赫至幾十兆赫範圍內時。
[2] 訊號通過輸出MOSFET時,訊號功率衰減比(插入損耗)為-3dB的頻段。
[3] 針對光繼電器。截至2023年10月的Toshiba調查。


主要規格


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TLP3475W

 

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光繼電器(MOSFET 輸出)