EPC GaN FET實現5130 W/in3 的基準功率密度,支持人工智慧和先進計算應用

日期 : 2023-09-15
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WPIEPC世平宜普電源轉換公司氮化鎵GaNLLC轉換器EPC9159

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作者 : EPC Press Release
出處 : https://epc-co.com/epc/tw/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3139/gan-fet可實現5130-win3-的基準功率密度,支持人工智慧和先進計算應用
EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC轉換器,佔板面積僅為17.5 mm x 22.8 mm,可實現5130 W/in3 最先進的功率密度。
 
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9159參考設計。這是一款48 V/12 V的LLC轉換器,專為48 V高功率密度伺服器電源和DC/DC轉換器而設計。該參考設計可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封裝內提供高達1 kW的功率,其功率密度為5130 W/in3。這是在初級側和次級側電路中採用於高開關頻率工作的氮化鎵(GaN)功率元件才可以實現的。
 
EPC9159採用LLC電源拓撲,由初級側全橋、固定比率平面變壓器和次級側的中心片同步整流器組成。初級側全橋使用4個額定電壓為80 V、3.3 mΩ的氮化鎵電晶體(EPC2619),而次級全橋則使用6個額定電壓為40 V、1.3 mΩ的EPC2067
 
EPC9159在25 A電流下可實現98%的功率級效率,而在83 A、12 V電流下的滿載效率爲96.2%。該設計非常適合用於高功率密度計算應用,例如人工智慧和先進遊戲等。
 
宜普電源轉換公司首席執行長 Alex Lidow 說:「eGaN®FET和IC
具有快速開關、小尺寸和高效率等特點,為先進計算應用提供最高功率密度的解決方案。EPC9159參考設計可滿足人工智慧日益增長的電源需求和先進計算應用中支援轉用48 V輸入的新型高功率密度和高效伺服器。」