東芝開發出業界首款2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組，助力工業設備的高效率和小型化

中國上海——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣佈，推出業界首款^[1]2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組——”MG250YD2YMS3”。 新模組採用東芝第3代SiC MOSFET晶片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用於光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。 該產品於今日開始支援批量出貨。

類似上述的工業應用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。 然而，預計未來幾年內DC 1500V將得到廣泛應用，因此東芝發佈了業界首款2200V產品。

MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（感測器）^[2]。 此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）^[3]和11mJ（典型值）^[3]，與典型的矽（Si）IGBT相比降低了約90%^[4]。 這些特性均有助於提高設備效率。 由於MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可採用模組數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助於設備的小型化。

東芝將不斷創新，持續滿足市場對高效率和工業設備小型化的需求。

注：
[1]採樣範圍僅限於雙SiC MOSFET模組。 數據基於東芝截至2023年8月的調研。
[2]測量條件：I_D＝250A、V_GS＝＋20V、T_ch=25°C
[3]測量條件：V_DD＝1100V、I_D＝250A、T_ch=150°C
[4]截至2023年8月，東芝對2300V Si模組和新型SiC MOSFET晶片MG250YD2YMS3的開關損耗進行比較（2300V Si模組的性能值是東芝根據2023年3月或之前發表的論文做出的預估）。