Toshiba發布有助於提高電源效率的600V超接合結構N溝道功率MOSFET

日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）擴大了其採用最新一代製程製造的N溝道功率MOSFET產品線，該產品採用適合資料中心、開關電源和太陽光電發電機功率調節器的600V超接合結構。新產品TK055U60Z1是DTMOSVI系列中的首款600V產品，自即日起開始出貨。

透過最佳化閘極設計和製程，與具有相同漏源電壓額定值的Toshiba當前一代DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品單位面積漏源導通電阻降低約13%，MOSFET性能品質因數漏源導通電阻×閘漏電荷約降低52%，從而確保該系列同時實現低導通損耗和低開關損耗，有助於提高開關電源的效率。

新產品採用TOLL封裝，可實現其閘極驅動的信號源端子開爾文連接。封裝中源極線中電感的影響得以降低，從而增強MOSFET的高速開關性能，抑制開關期間的振盪。

Toshiba將繼續擴大其600V DTMOSVI系列產品陣容，及其已經發布的650V DTMOSVI系列產品，並透過降低開關電源的功率損耗來支持節能。