EPC GaN FET配以ADI控制器可實現最高功率密度穩壓DC/DC轉換器

日期 : 2023-05-11
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WPIEPC世平宜普電源轉換公司新型模擬控制器氮化鎵GaN氮化鎵場效應電晶體EPC9158

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作者 : 原廠新聞稿
出處 : https://epc-co.com/epc/tw/活動及最新消息/新聞/artmid/1653/articleid/3120/epc-gan-fet配以adi控制器可實現最高功率密度穩壓dcdc轉換器

宜普電源轉換公司(EPC)Analog Devices(ADI)公司携手新参考設計經過全面化的新型模擬控制器来驅動EPC的氮化鎵場效應電晶體,可實現超過96.5%的效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈新推EPC9158,這是一款工作在500 kHz開關頻率的雙輸出同步降壓轉換器参考设计,可將48 V~54 V的輸入電壓轉換為12 V穩壓輸出,可提供高達每相25 A電流或50 A總連續電流。ADI的新型LTC7890同步氮化鎵降壓控制器与EPC的超高效GaN FET相结合,可為高功率密度應用提供佔板面積小且非常高效的解決方案。該解決方案在48 V/12 V 、50 A連續電流下可實現 96.5%的效率。

高功率密度使该解決方案成为需要小尺寸和高效率的計算、工業、消費和電信電源系統的理想選擇。eGaN® FET開關快、效率高和尺寸小,可满足這些前沿應用對高功率密度的嚴格要求。

EPC9158参考設計採用100 V的增强型氮化鎵場效應電晶體(EPC2218) 和LTC7890两相模擬降壓控制器,和帶有整合式氮化鎵驅動器。

  • LTC7890 是一款100 V、具有低 Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器,它經過全面優化,可驅動 EPC的GaN FET,以及整合了一个半橋驅動器和智能自舉二極體。經過優化的死區時間或可編程死區時間接近零,以及可編程開關頻率可高達3 MHz。 5 uA 的靜態電流(VIN= 48 V、VOUT = 5 V、僅限CH1)可實現非常低的待機功耗和卓越的輕負載效率。
  • EPC2218是一款100 V 的GaN FET,具有2 mOhm 最大導通電阻、10.5 nC QG、1.5 nC QGD、46 nC QOSS 和没有反向恢复(QRR),佔位面積超小,只有3.5 mm x 1.95 mm,可提供高達60 A的連續電流和231 A的峰值電流。優越的動態参數可以在500 kHz開關頻率下,實現非常小的開關損耗。

EPC9158的效率在12 V輸出和48 V輸入時超過96.5%。除了輕載工作模式和可調死區時間外,該板還提供欠壓鎖定、過流保護和power good輸出。

宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow 說:「GaN FET能够實現具有最高功率密度的DC/DC轉換器。我们很高興與ADI公司合作,將其先進控制器與EPC的高性能氮化鎵元件相結合,可以為客户提供具有最高功率密度和採用少量元件的解決方案,從而提高效率、增加功率密度和降低系统成本。」

ADI公司高階產品市場經理Tae Han 說:「ADI公司的LTC7890可充分發揮EPC eGaN FET的高性能優勢,用於高功率密度解決方案。LTC7890可實現更高的開關頻率和經過優化的死区時間,與市場上現有的解決方案相比,性能更卓越且功耗更低。通過這些新型控制器,客户可以发挥氮化镓元件的高速開關優勢,從而實現最高的功率密度。」